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Mini- Hochfrequenz-Schottky-niedrige VorwärtsDiode/10A spannungsabfall-Diode

Grundlegende Informationen
Herkunftsort: Jiangxi, China
Markenname: DEC
Zertifizierung: RoHS
Modellnummer: MBRF10150DT-
Min Bestellmenge: Durchkontaktierung
Preis: Negotiated
Verpackung Informationen: Geboxt
Lieferzeit: 1 - 2 Wochen
Zahlungsbedingungen: Telegrafische Übertragung im Voraus (Vor-TT, T/T)
Versorgungsmaterial-Fähigkeit: 15,000,000pcs pro Tag
Detailinformationen
Typ: Hochfrequenz-Schottky-Diode Sich wiederholende Höchstsperrspannung: 150V
Arbeitende Höchstsperrspannung: 150V Blockierspannung Maximum DCs: 150V
Maximales durchschnittliches Vorwärtsrichtstrom Gesamtgerät: 10A Höchstvorwärtsüberspannung: 125A
Funktionierende Grenzschichttemperatur-Strecke: -65~150℃ Lagertemperaturbereich: -65~175℃
Maximaler Rückdurchsickern-Strom (Anmerkung 1): 50 / 100μA Maximale blitzschnelle Vorwärtsspannung (Anmerkung 2): 0.80/ 0.85V
Typischer thermischer Widerstand, Kreuzung zum Fall: 4.0℃/W Spannungs-Änderungsgeschwindigkeit: 10000V/μs
Markieren:

Oberflächenberg Schottky-Diode

,

differenzielle Schottky-Diode


Produkt-Beschreibung

Mini- Hochfrequenz-Schottky-niedrige VorwärtsDiode/10A spannungsabfall-Diode

 

Hochfrequenz-Schottky-Dioden-Vorteil

 

SBD hat die Vorteile der hohen Schaltfrequenz und der niedrigen Vorwärtsspannung, aber seine Rückdurchbruchsspannung ist, größtenteils nicht höher als 60V verhältnismäßig niedrig, und das Maximum ist nur über 100V, das seinen Einsatzbereich begrenzt. Zum Beispiel in den Faktorkorrektur (PFC)-Stromkreisen des Schaltnetzteils (SMPS) und der Energie, in der Freilaufdiode des Energieschaltelements, im Transformatorsekundärgebrauch benutzt eine Hochfrequenzgleichrichterdiode von 100V oder von mehr und der RCD-Niederhalterstromkreis eine Hochgeschwindigkeitsdiode von 600V zu 1.2kV. Der PFC-Auftrieb verwendet eine Diode 600V, ein etc. und einen nur Gebrauch eine Epitaxial- Diode (FRED) der schnellen Wiederaufnahme und eine ultraschnelle Wiederaufnahmediode (UFRD). Die Rückgenesungszeit Trr von UFRD ist auch über 20 ns, die den Bedarf von SMPS von 1 MHZ bis 3 MHZ auf den Gebieten wie Raumstationen nicht erfüllen können. Sogar mit einem SMPS mit einem harten Schalter von 100 kHz, wegen des großen Leitungsverlustes und des Schaltungsverlustes des UFRD, ist die Gehäusetemperatur hoch, und ein großer Kühlkörper wird angefordert, damit das Volumen und das Gewicht des SMPS erhöht werden, das nicht mit Miniaturisierung und der Verringerung kompatibel ist. Der Entwicklungstrend. Deshalb ist die Entwicklung von Hochdruck-SBD über 100V immer ein Forschungsgegenstand und eine brenzlige Stelle des Interesses gewesen. In den letzten Jahren hat SBD Durchbrüche gemacht. Hochspannungs-SBDs von 150V und 200V sind gestartet worden. SBDs mit mehr als 1kV, das von den neuen Materialien gemacht wird, sind auch erfolgreich entwickelt worden und neue Vitalität und Vitalität in ihre Anwendungen so eingespritzt.

 

Hochfrequenz-Schottky-Dioden-ausführliche Beschreibung
 
Art: Hochfrequenz-Schottky-Diode Sich wiederholende Höchstsperrspannung: 150V
Arbeitende Höchstsperrspannung: 150V Blockierspannung Maximum DCs: 150V
Maximales durchschnittliches Vorwärtsrichtstrom-Gesamtgerät: 10A Höchstvorwärtsüberspannung: 125A
Funktionierende Grenzschichttemperatur-Strecke: -65~150℃ Lagertemperaturbereich: -65~175℃
Maximaler Rückdurchsickern-Strom (Anmerkung 1): 50 / 100μA Maximale blitzschnelle Vorwärtsspannung (Anmerkung 2): 0.80/ 0.85V
Typischer thermischer Widerstand, Kreuzung zum Fall: 4.0℃/W Spannungs-Änderungsgeschwindigkeit: 10000V/μs

 

Mini- Hochfrequenz-Schottky-niedrige VorwärtsDiode/10A spannungsabfall-Diode 0

Mini- Hochfrequenz-Schottky-niedrige VorwärtsDiode/10A spannungsabfall-Diode 1

 

Kontaktdaten
Peng

Telefonnummer : 86-13750005407

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